三星展示 40Gbps GDDR7 显存：3GB（24Gb）容量，12 纳米 DRAM 制程工艺

据介绍，这款显存获得了“总统级表彰”，采用三星12nmDRAM工艺制造，相当于10nm级别。值得注意的是，三星不只在生产40Gbps的3GBGDDR7显存，此前曾有消息称这家公司正在量产28Gbps的3GB模组，很有可能被英伟达用于即将推出的RTX50系显卡Super中期升级款。虽然英伟达没有选用速度最快的显存这件事看起来有点奇怪，但实际上英伟达这样的厂商会尽量选择量产的成熟方案，因此处于样品阶段的新品无法支撑新品上市，必须使用稳定库存的方案才能保障供应。三星的对手SK海力士同样也在酝酿新品，这家公司计划在ISSCC2026（亚汇网注：国际固态电路会议）上展示其高速DRAM产品阵容，当中包括一款24Gb、速率可达28Gbps的GDDR7显存，有消息称这款显存将采用对称双通道设计，可突破大众对GDDR732–37Gbps的常规预期。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。